数字制造装备与技术国家重点实验室

主要研究人员

陈蓉
专业:机械学
职称:教授/博导
办公电话:027-87558744
电邮:rongchen@mail.hust.edu.cn

详细资料

陈蓉,女,1978年8月出生。教授,博导。中国科学技术大学获得学士学位,美国斯坦福大学(Stanford)硕士、博士学位。曾在美国应用材料公司及英特尔研究院担任高级技术职务。中组部首批“青年千人计划”入选者,教育部“新世纪人才支持计划”获得者。 担任国家973国家重大科学研究计划--青年科学家专题项目负责人,主持国家自然科学基金项目。围绕着原子层沉积、纳米颗粒制备、薄膜工艺与设备开发,承担了多项新能源与微电子相关项目的研究,是选择性原子层沉积技术的先驱者之一。华中科技大学柔性电子研究中心副主任。

在Adv Mater, EES, ACS Nano等国际知名期刊上发表论文50余篇;微纳制造领域发明专利20余项,并包括5项美国专利,3项国际专利;主编撰写“十二.五”重点出版物;在相关领域的国际学术会议作特邀报告等50余次。 中国硅酸盐学会薄膜与涂层分会理事,中国机械工程学会、真空学会高级会员,PM2.5污染治理示范工程研讨组成员,美国IEEE、MRS、APS、ACS、ECS学会会员;美国劳伦斯-伯克利国家实验室开放基金特邀专家评审组成员,曾担任英特尔风险投资部门纳米材料及新能源技术顾问及学术基金部门顾问;美国NSF基金评委, Scientific Reports编委,ACS Nano、APL, JAP等国际权威期刊审稿人;担任国家及省部级科学技术奖评委、国际科技合作专家。主要社会兼职包括第十一届湖北省政协委员,千人计划专家联谊会ICT专委会副主任,湖北省回国科技人员创业促进会会员等。

 

科研成果

科研基金申请:

2013-2017“高效金属-氧化物复合催化剂的理性设计与性能调控”, 973国家重大科学研究计划 (2013CB934800) 青年项目,500万,首席科学家

2016-2019 “面向柔性电子制造的空间隔离原子层沉积系统基础研究”,国家自然科学基金面上项目(51101064),79.2万,负责人

2015-2017 “微纳米颗粒原子层包覆关键技术与装备研究”,湖北省自然科学基金杰出青年基金,40万,负责人

2012-2014 “利用原子层沉积法实现可控组份、大小的纳米催化颗粒生长”,国家自然科学基金资助项目(51101064)青年基金,25万,负责人

2014-2016 “微纳制造与纳米测量技术”教育部“创新团队发展计划”(IRT13017),300 万,参与

2015-2016 “通过ALD实现原子尺度调控的多界面催化剂研究”,数字制造装备与技术国家重点实验室自主课题(0225100063)重点项目,30万,负责人

2014-2015 “微纳米颗粒高效原子层沉积包覆技术研究”,华中科技大学自主创新研究基金- 前沿探索基金项目(2014TS037),10万,负责人

2012-2013 “常压原子层沉积系统设计与机理研究”,华中科技大学自主创新研究基金- 前沿探索基金项目(2012TS076),8万,负责人

2011-2013 “利用原子层沉积生长纳米颗粒的理论与实验研究”,数字制造装备与技术国家重点实验室自主课题(0225100053)重点项目,50万,负责人

2012-2014 中组部“青年千人计划”,200万

2010-2012 教育部“新世纪优秀人才支持计划”,50万


荣誉与奖励:

2013 华中科技大学2013年度“十佳青年”

2012 华中学者

2012 中国人民政治协商会议湖北省第十一届委员会委员

2012 湖北省特聘专家

2011 中国共产党中央委员会组织部首批“青年千人计划”

2010 英特尔研究院电路与系统研究部门奖

2009 中华人民共和国教育部“新世纪优秀人才支持计划”

2008 Frost & Sullivan北美先进海量存储芯片方案技术创新奖

2008 AlwaysOn 全球250入选杰出团队

2008 美国英特尔公司加利福尼亚技术制造部门奖

2007 美国应用材料公司团队杰出贡献奖

2006 半导体研究协会Simon Karecki奖(用于表彰为环境科学创新做出杰出贡献的青年研究工作者, 每年全国仅1人获奖,2人获入围奖);

2004 德州仪器微电子领域女性领袖奖(奖励在半导体研究中作出突出贡献的女性科技工作者)

2003 国际Flory新型材料大会最佳科研海报展示奖


代表性著作:

1.Zhengzheng Chen, Xiao Liu, Kyeongjae Cho, Rong Chen*, Bin Shan* “Density Functional Theory Study of the Oxygen Chemistry and NO Oxidation Mechanism on Low-Index Surfaces of SmMn2O5 Mullite” ACS Catal. 2015, 5, 4913.

2.Bin Huang, Wenjuan Yang, Yanwei Wen, Bin Shan*, Rong Chen* “Co3O4 Modified TiO2 Nanotube Arrays via Atomic Layer Deposition for Improved Visible-Light Photoelectrochemical Performance” ACS Appl. Mater. Inter. 2015, 7 (1), 422.

3.Kun Cao, Qianqian Zhu, Bin Shan*, Rong Chen* “Controlled Synthesis of Pd/Pt Core Shell Nanoparticles Using Area-selective Atomic Layer Deposition” Sci. Rep. 2015, 5, 8470.

4.Chen-Long Duan, Xiao Liu, Bin Shan, and Rong Chen* “Fluidized bed coupled rotary reactor for nanoparticles coating via atomic layer deposition” Rev. Sci. Instrum. 2015, 86, 075101.

5.Wen-jie He, Hai-tao Zhang, Zhiyong Chen, Bo Chu, Kun Cao, Bin Shan, Rong Chen* “Generalized Predictive Control of Temperature on an Atomic Layer Deposition Reactor” IEEE Trans. Contr. Sys. Tech. 2015, 99 DOI: 10.1109/TCST.2015.2404898.

6.Wen-Jie He, Hai-Tao Zhang, Zhiyong Chen, Ji-Long Lin, Kan Tian, Bin Shan, Rong Chen* “Temperature Control for Nano-Scale Films by Spatially-Separated Atomic Layer Deposition based on Generalized Predictive Control” IEEE Trans. Naotechnol 2015, DOI: 10.1109/TNANO.2015.2471298.

7.Bin Huang, Kun Cao, Xiao Liu, Lihua Qian, Bin Shan*, Rong Chen* “Tuning the morphology and composition of ultrathin cobalt oxide film via atomic layer deposition” RSC Adv. 2015, DOI: 10.1039/C5RA09782G.

8.Yanwei Wen, Xiao Liu, Xianbao Duan, Kyeongjae Cho, Rong Chen*, Bin Shan* “Theoretical Study of Li-Doped sp2-sp3 Hybrid Carbon Network for Hydrogen Storage" J. Phys. Chem.C 2015, 119 (28), 15831,

9.Xiao Liu, Yanwei Wen*, Zhengzheng Chen, Bin Shan and Rong Chen* “First-principles study of the sodium adsorption and diffusion on phosphorene” Phys. Chem. Chem. Phys. 2015, 17, 16398.

10.Xiao Liu, Yanwei Wen, Bin Shan, Kyengae Cho, Z. Chen*, Rong Chen* “Combined effects of defects and hydroxyl groups on the electronic transport properties of reduced graphene oxide” Appl. Phys. A 2015, 118, 885.

11.Xiao Liu, Zhengzheng Chen, Yanwei Wen, Rong Chen, Bin Shan “Surface stabilities and NO oxidation kinetics on hexagonal-phase LaCoO3 facets: a first-principles study” Catal. Sci. Tech. 2014, 4, 3687.

12.Qingbo Wang, Yanwei Wen, Rong Chen, Bin Shan, “A hybrid functional study of the electronic and optical properties of tetragonal PbO-type phase of ZnO under pressure”, J. Alloys Compd. 2014, 586, 611.

13.Stephanie L. Candelaria, Rong Chen, Yoon-Ha Jeong, Guozhong Cao, “Highly porous chemically modified carbon cryogels and their coherent nanocomposites for energy applications”, Energy Environ. Sci. 2012, 5, 5619.

14.Rong Chen, Zhengzheng Chen, Bo Ma, Xiaohong Hao, Neeti Kapur, Jangsuk Hyun, Kyeongjae Cho, Bin Shan, “CO adsorption on Pt(111) and Pd(111) surfaces: a first-principles based lattice gas Monte-Carlo study”, Comp. Theo. Chem. 2012, 987, 77.

15.Zhengzheng Chen, Bin Shan, Rong Chen, “Electronic origin of the phase transition in ternary alloy Mo(Si1-x,Alx)2”, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 101903.

16.Noureddine Tayebi, Yuegang Zhang, Robert J. Chen, Quan Tran, Rong Chen, Yoshio Nishi, Qing Ma, Valluri Rao, “An ultraclean tip-wear reduction scheme for ultrahigh density scanning probe-based data storage”, ACS Nano 2010, 4 (10), 5713.

17.Rong Chen, Stacey F. Bent, “Chemistry for positive pattern transfer by area-selective atomic layer deposition” Adv. Mater. 2006, 18, 1086.

18.Rong Chen, Stacey F. Bent, “Highly stable monolayer resists for atomic layer deposition on germanium and silicon” Chem. Mater. 2006, 18, 3733.

19.Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, David W. Porter, Stacey F. Bent, “Achieving area-selective atomic layer deposition on patterned substrates by selective surface modification” Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 191910.

20.Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, Stacey F. Bent, “Investigation of self-assembled monolayers as deactivating agents for atomic layer deposition of HfO2 high-k gate dielectric” Chem. Mater. 2005, 17, 536.

21.Rong Chen, Hyoungsub Kim, Paul C. McIntyre, Stacey F. Bent, “Self-assembled monolayer resist for atomic layer deposition of HfO2 and ZrO2 high-k gate dielectrics” Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4017.

 

研究方向

1.原子层沉积技术与装备

2.柔性电子制造薄膜生长装备与工艺

3.机动车尾气净化技术

4.能源、电子领域的纳米器件开发。

 

鄂ICP备05052060  版权所有@数字制造装备与技术国家重点实验室  地址:武汉市珞喻路1037号华中科技大学东三楼 邮政:430074 电话:86-27-87543676